各投標人：

現將本項目補遺文件（一）發布如下：

1、本項目招標文件第八章“二、技術規格”中“二、設名稱、型號、規格及數量”第“4總體配置：

*  設備狀態為全新全自動化設備，適用于200mm notch wafer的batch式爐管

*  設備自帶SMIF裝置

*  適用于SMIF-RFID式的圓片傳送識別裝置

*  設備滿足甲方三相208V/380V或單相100V/120V/220V的供電要求

*  設備支持標準的SECS/GEM通訊協議，并支持與MES連接

*  系統要有軟硬盤存儲數據功能，工作電腦需配備雙硬盤實時備份并提供系統備份”

修改為：

“4.總體配置：

*  設備狀態為全新全自動化設備，適用于200mm notch wafer的batch式爐管

*  設備自帶SMIF/Loadport裝置

*  適用于SMIF-RFID式的圓片傳送識別裝置

*  設備滿足甲方三相208V/380V或單相100V/120V/220V的供電要求

*  設備支持標準的SECS/GEM通訊協議，并支持與MES連接

*  系統要有軟硬盤存儲數據功能，工作電腦需配備雙硬盤實時備份并提供系統備份

*  隨設備配置一套8吋工藝需要的石英及熱電偶

*  隨設備配置一套設備保養所需的治具”

2、本項目招標文件第八章“二、技術規格”中“三、設備技術指標

PI Curing爐要求能夠達到如下性能指標：

1) *適用200mm notch晶圓工藝，可cover晶圓厚度400~2000um

2) *支持wafer翹曲度≤±3mm

3) *溫度控制精度：±1℃（150℃~600℃）

4) *溫度均勻性（wafer to wafer，within wafer） ±1.5℃(150℃~600℃)

5) *Process chamber含氧量控制：≤10ppm

6) *需配備Gas管路: O2，N2

7) *Batch size ≥75片

8) *MTBF大于250小時，uptime ≥90%

9) *Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs

10) *Wafer材質兼容Si，EMC，bonding等。

11) *顆粒控制<20 @0.5um

12) *Wafer材質兼容Si，EMC，bonding等

13) *Boat可旋轉

14) *設備在先進封裝領域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產經驗，裝機量≥2臺

15) 具備快速降溫能力”

修改為：

三、設備技術指標

PI Curing爐要求能夠達到如下性能指標：

1）*適用200mm notch晶圓工藝，可cover晶圓厚度400~2000um

2）*支持wafer翹曲度≤±3mm

3）*溫度控制精度：±1℃（150℃~600℃）

4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm

5）*需配備Gas管路: O2，N2

6）*Batch size ≥75片

7）*MTBF大于250小時，uptime ≥90%

8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs

9)  *Wafer材質兼容Si，EMC，bonding等。

10)  *顆粒控制<20 @0.5um

11)  *Wafer材質兼容Si，EMC，bonding等

12)  *設備在先進封裝領域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封裝）具有量產經驗，裝機量≥2臺

13)  具備快速降溫能力

3、投標文件的遞交時間修改為：

投標截止時間（開標時間）：2024年 5 月 16 日14：00 分,投標文件遞交時間：2024年 5月  16 日13 ：30分－2024年 5 月 16 日14 ：00 分。

已發出的招標文件與本補遺文件（一）有沖突的地方，以本補遺文件（一）為準。

招標人：聯合微電子中心有限責任公司

招標代理機構：中國遠東國際招標有限公司

聯系人：王靜

電話： 18680888091

2024年4月30日