招標公告
本招標項目等離子增強氣相沉積系統、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機招標人為華中光電技術研究所（武漢），招標項目資金來自國撥資金，出資比例為100%。該項目已具備招標條件，現對等離子增強氣相沉積系統、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機進行國內公開招標。
2. 項目概況與招標范圍
2.1 招標編號：ZKX20250631A002
2.2招標項目名稱：等離子增強氣相沉積系統、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機
2.3 數量：
等離子增強氣相沉積系統 1臺
硅基等離子體刻蝕機 1臺
InP基等離子體刻蝕機 1臺
GaAs基等離子體刻蝕機 1臺
2.4 設備用途：
1）等離子增強氣相沉積系統：等離子增強氣相沉積系統主要借助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體，利用等離子體的強化學活性發生反應，從而在基片上沉積出預期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好等優點。本儀器可沉積氧化硅、氮化硅等材料，能夠實現對沉積厚度的精確控制，還可以通過改變反應氣體組分在一定范圍內調節沉積薄膜的折射率，可應用于微納結構中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、波導結構等。
2）硅基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設計好的波導結構圖案。其刻蝕過程是化學反應和物理轟擊過程所共同作用的結果，其內部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產生感應耦合電場，腔室內的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產生高密度等離子體；另一套與腔室內放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發生化學反應產生揮發性的氣體，經過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結構加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優點。硅基等離子體刻蝕機將用于硅光芯片研制過程中刻蝕光波導和光柵等結構。
3）InP基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設計好的波導結構圖案。其刻蝕過程是化學反應和物理轟擊過程所共同作用的結果，其內部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產生感應耦合電場，腔室內的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產生高密度等離子體；另一套與腔室內放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發生化學反應產生揮發性的氣體，經過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結構加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優點。InP基等離子體刻蝕機將用于InP基半導體激光器芯片研制過程中刻蝕光波導和光柵等結構。
4）GaAs基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設計好的波導結構圖案。其刻蝕過程是化學反應和物理轟擊過程所共同作用的結果，其內部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產生感應耦合電場，腔室內的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產生高密度等離子體；另一套與腔室內放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發生化學反應產生揮發性的氣體，經過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結構加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優點。GaAs基等離子體刻蝕機將用于GaAs基半導體激光器芯片研制過程中刻蝕光波導和光柵等結構。
2.5 交貨地點：湖北武漢項目現場。
2.6 交貨期：合同簽訂后10個月內。
3.投標人資格要求
3.1 投標人須具有獨立承擔民事責任能力的在中華人民共和國境內注冊的法人或其他組織，具備有效的營業執照或事業單位法人證書或其它營業登記證書。
3.2 本次招標不接受聯合體投標。
3.3 本次招標不接受代理商投標。
3.4 投標人2022年1月1日至開標前一日（以合同簽訂時間為準）具有等離子增強氣相沉積系統、等離子體刻蝕機的同類型產品業績：
（1）上述2種產品均須提供同類型產品業績；
（2）每種產品須提供至少15份業績合同（同一業績中可同時包含上述兩種產品），業績均須附供貨合同必要部分（須包含合同首頁及蓋章頁或者簽署頁，合同中須有標的物名稱，且有明確的簽訂時間）。
3.5 信譽要求：未被列入“信用中國”（www.creditchina.gov.cn）網站“記錄嚴重失信主體名單，須提供上述網站截圖證明或提供承諾書。
3.6投標人必須向招標代理機構購買招標文件并進行登記才具有投標資格。
4.招標文件的獲取
4.1 凡有意參加投標者，請于2025年8月28日至2025年9月4日17時(北京時間)，登錄（https:///）報名參與項目,需要下載費500元（下載費發票聯系平臺開具），現場不予受理。如有疑問，請致電服務熱線4009280095轉1。
4.2招標文件售賣
每套招標文件售價人民幣 800 元整，售后款項不予退還。潛在投標人應通過本鏈接:http://www.dlztb.com/file/upload/zbwj/sgcc/28204538.html>
4.3 投標人必須在注冊，否則無法投標。（詳見相關說明）。
5.1投標文件遞交的截止時間（投標截止時間，下同）為2025年9月19日9時30分，地點為北京市海淀區金溝河路與采石北路十字路口東南角88號大樓一層會議室。
5.2逾期送達的、未送達指定地點的或者不按照招標文件要求密封的投標文件，招標人將予以拒收。
6.發布公告的媒介
本次招標公告同時在中招聯合招標采購平臺、和中國招標投標公共服務平臺上發布。
7. 聯系方式
招標人：華中光電技術研究所（武漢）
地址：武漢市江夏區陽光大道717號
郵編：430200
聯系人：侯經理
電話：027-59002382
招標代理機構：中科信工程咨詢（北京）有限責任公司
地址：北京市海淀區金溝河路與采石北路十字路口東南角88號大樓
郵編： 100039
聯系人：郗女士
電話：029-89249895
項目負責人：王瑋
電話：029-89248368
傳真：010-88529153
電子郵件：zhaobiaobu@zonkex.com
2025年8月28日